Українська
![](https://old.nung.edu.ua/files/styles/medium/public/profiles-photo/gevik.jpg?itok=8DJ3gljZ)
Посада:
Науковий ступінь:
- доцент кафедри загальної та прикладної фізики;
Закінчив Чернівецький національний університет ім. Федьковича в 2001 р. за спеціальністю фізика твердого тіла. Працює в університеті з 2006 р. року. В 2005 р. захистив кандидатську дисертацію на тему „Х-променева дифракція в кристалах та багатошарових системах, що містять дислокаційні петлі”
Напрям наукових досліджень: дифрактометричні дослідження структурної досконалості напівпровідникових кристалів та багатошарових систем.
Автор і співавтор більше 15 публікацій.
Найважливіші наукові та методичні роботи:
- Fodchuk I.M., Gevyk V.B., Gimchinsky O.G., Kislovskii E.N., Kroytor O.P., Molodkin V.B., Olihovskii S.I., Pavelescu E.M., Pessa M. Structural changes in the multilayer systems containing InхGa1-хAs1-уNу quantum wells // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. – 2003. – Vol. 6. – №3. – Р.227-234.
- В.Б. Гевик, С.Н. Новиков, Д.Г. Федорцов И.М. Фодчук. Моделирование рентгеновских дифракционных изображений дислокационных петель в кристаллах// Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. – т.27, №9 – С.
- I.Fodchuk, M. Pessa, E. M. Pavelesku, V. Molodkin, and V. Gevyk Strain and composition analysis of InхGa1-хAs1-уNу/GaAs multilayer by X-ray two-crystal diffractometry // 7th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. -2004, Congress Center Pruhonice near Prague. – P-19.
- Кройтор О.П., Гевик В.Б, Фодчук И.М. Рентгендифракционные исследования многослойных систем InGaAsN/GaAs // IX Международная конференция “Фізика і технологія тонких плівок” (МКФТТП-ІХ). – Івано-Франківськ. – 2003. – С.142-143.